2024-12
耐材之窗耐火原料指數(shù)
綜合指數(shù)
  • 綜合指數(shù):203.62
  • 上月:202.42
  • 環(huán)比: +0.59%
  • 去年同期:190.94
  • 同比: +6.64%
產(chǎn)品指數(shù)
  • 鋁礬土:175.00 上月:171.00 環(huán)比: +2.00% 去年同期:159.00 同比: +10.00%
  • 碳化硅:98.00 上月:98.00 環(huán)比: 0.00% 去年同期:113.00 同比: -14.00%
  • 鱗片石墨:103.00 上月:103.00 環(huán)比: 0.00% 去年同期:127.00 同比: -18.00%
  • 燒結(jié)鎂砂:208.00 上月:208.00 環(huán)比: 0.00% 去年同期:217.00 同比: -4.00%
  • 普通電熔鎂砂:138.00 上月:142.00 環(huán)比: -3.00% 去年同期:133.00 同比: +3.00%
  • 棕剛玉:140.00 上月:138.00 環(huán)比: +1.00% 去年同期:125.00 同比: +12.00%
  • 白剛玉:145.00 上月:142.00 環(huán)比: +2.00% 去年同期:91.00 同比: +59.00%
  • 棕剛玉:140.00 上月:138.00 環(huán)比: +1.00% 去年同期:125.00 同比: +12.00%
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II-VI 公司將合作建立碳化硅半導(dǎo)體基底制造基地

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發(fā)布時(shí)間:2005-04-07
II-VI公司宣布它將在Starkville與SemiSouth實(shí)驗(yàn)室和密西西比州立大學(xué)合作建立一個(gè)碳化硅(SiC)半導(dǎo)體基底制造基地。 碳化硅可用來(lái)作為藍(lán)紫光發(fā)光二極管的基底,同時(shí)也能用于高溫電子學(xué)和光電子學(xué)、無(wú)線頻率電子學(xué),還有高能電子學(xué)這個(gè)合作可以將II-VI的碳化硅基底的生產(chǎn)能力和SemiSouth在SiC晶體外延材料生長(zhǎng)技術(shù)方面的優(yōu)勢(shì)集中起來(lái)。技術(shù)和運(yùn)營(yíng)支持將由II-VI的WBMG技術(shù)中心提供。

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